美光基于RG架构的128层3D与非门闪存将于本季度批量生产

原标题:美光在本季度大规模生产基于RG架构的128层3D与非门闪存

美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。根据计划，美光的收购将在2020年第三季度开始生产，并将在第四季度作为商业客户发货。作为该硬件制造商的主要技术改造，第四代3D与非门存储器有128层。

数据图(来自:微米)

此外，作为美光长期技术发展计划的核心，该公司将在与英特尔的合作中，用替换门(RG)技术替换多年来使用的传统浮栅技术。

美光拥有完整的RG技术设计，并希望这一技术转型能够减小芯片尺寸、降低成本、提高性能，并更轻松地过渡到更多层的下一代节点。

尽管大规模生产应该尽早完成，但美光已经向其他投资者指出，该公司不会在今年内完全转向基于RG架构的3D与非门技术。毕竟，早期收益率仍有进一步提高的空间。

美光表示，计划在2020年第四季度(今年夏天)开始销售128层基于RG的3D与非门闪存产品。

首席执行官桑杰·梅罗特拉(Sanjay Mehrotra)补充道:“我们在向RG技术过渡方面取得了重大进展，预计到2020年底，RG技术将成为公司总与非门供应的重要组成部分”。